芯片行业深度投研分析报告：技术迭代与国产替代下的全球竞争格局

核心观点

在芯片行业的发展进程中，技术迭代与国产替代正成为驱动全球竞争格局演变的核心主线。当前，先进制程工艺的持续突破与 Chiplet 异构集成技术的兴起，正推动行业生态发生深刻重构，而第三代半导体材料在新能源汽车、数据中心等领域的应用也呈现加速渗透态势;与此同时，国内芯片产业的国产替代进程已进入关键阶段，设备材料领域的自主化推进步伐显著加快，政策层面的专项支持力度亦在持续加码。值得关注的是，港股市场在半导体企业融资及全球化布局中展现出独特战略价值，相关政策导向正助力行业迎来新的资本运作机遇。从投资视角来看，技术突破领域的 AI 算力芯片、车规级芯片，国产替代赛道的设备材料及存储芯片，以及港股市场中具备估值优势的细分龙头企业，均构成值得重点关注的方向。尽管行业发展面临外部技术环境变化及市场周期波动等挑战，但 AI 技术革新、汽车电子需求爆发等下游驱动力，将为行业长期增长提供坚实支撑。

第一章 行业概述与战略地位

1.1 芯片行业定义与产业链图谱

芯片(集成电路)是通过光刻、刻蚀等复杂工艺将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在半导体材料上的微型化电子器件，是现代电子设备的核心组件。其产业链可划分为设计、制造、封测三大核心环节，以及支撑全流程的设备材料体系。

设计环节：通过 EDA 工具完成芯片架构与电路设计，代表企业包括英伟达、高通、华为海思等。设计环节决定芯片功能与性能，需与下游应用场景深度协同。

制造环节：将设计方案转化为物理芯片，涉及晶圆加工、薄膜沉积、光刻等精密工艺。台积电、三星、中芯国际是全球主要代工厂，7nm 以下先进制程集中于头部企业。

封测环节：对制造完成的芯片进行切割、封装与测试，提升可靠性并适配终端需求。日月光、长电科技等企业主导全球封测市场。

设备材料：光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备等核心设备，以及硅片、光刻胶、电子特气等关键材料，构成产业链上游基础。荷兰 ASML 垄断 EUV 光刻机市场，日本企业主导高端光刻胶供应。

产业链各环节技术壁垒高，全球化分工特征显著。例如，一台 7nm 芯片需调用全球 5000 余家供应商的技术支持，而中国在设备材料领域仍存在 “卡脖子” 短板。

(图 1.1 芯片产业链结构示意图：上游设备材料支撑中游设计制造封测，下游应用驱动需求)

1.2 行业发展阶段与技术演进历程

芯片行业的发展以技术迭代为核心驱动力，历经多次代际跃迁：

硅基芯片崛起(1947-2000 年)：1947 年贝尔实验室发明晶体管，1958 年集成电路诞生，硅材料凭借低成本、高稳定性成为主流。摩尔定律(晶体管数量每 18-24 个月翻倍)推动制程从微米级向亚微米级演进，至 2000 年已实现 0.13μm 工艺量产。

先进制程主导(2001-2015 年)：FinFET(鳍式场效应晶体管)技术突破物理极限，台积电 2015 年量产 16nm 工艺，标志着半导体进入 “后摩尔时代”。EUV 光刻技术研发启动，为更小制程铺路。

异构集成与材料革新(2016 年至今)：3nm 以下制程面临量子隧穿效应挑战，Chiplet(芯粒)技术通过异构集成提升性能，苹果 M1 Ultra、英伟达 Grace CPU 超级芯片是典型应用。第三代半导体(碳化硅、氮化镓)在新能源汽车、数据中心领域加速渗透，2024 年全球 SiC 器件市场规模突破 50 亿美元。

技术演进呈现两大趋势：一是制程微缩与封装创新并行，台积电 3D 异质集成技术可实现 1 万亿晶体管堆叠，等效 1nm 工艺;二是材料体系多元化，二维半导体(如二硫化钼)、碳纳米管等新材料探索持续突破。

1.3 全球经济贡献与战略价值

芯片行业是全球经济的 “数字血液”，其战略价值体现在三个层面：

规模效应与经济拉动：2024 年全球芯片市场规模达 6298 亿美元，同比增长 18.8%，占全球 GDP 比重约 0.7%。其中，AI 芯片销售额超 570 亿美元，数据中心资本支出猛增 51% 至 4550 亿美元，成为核心增长极。中国作为全球最大芯片消费市场(占比 60%)，2024 年集成电路进口额 3856.5 亿美元，出口额 1595 亿美元，贸易逆差持续收窄。

技术主权争夺焦点：芯片是人工智能、5G、自动驾驶等战略产业的基石。美国《芯片与科学法案》投入 527 亿美元扶持本土制造，欧盟《芯片法案》目标将欧洲芯片产能占比从 8% 提升至 20%，中国 “大基金” 三期重点支持设备材料国产化。技术封锁与反制加剧，例如美国限制 14nm 以下设备对华出口，ASML EUV 光刻机交付延迟，倒逼国产替代加速。

产业链安全风险：设备材料领域 “卡脖子” 问题突出。2024 年中国芯片设备国产化率仅 16%，光刻机、离子注入机等核心设备 90% 依赖进口;12 英寸硅片、高端 ArF 光刻胶自给率不足 10%，三氟化氮等电子特气长期被日美企业垄断。中微公司刻蚀机虽实现 52% 成熟制程市场占有率，但 3nm 以下先进制程仍需突破 EUV 配套技术。

芯片行业的战略重要性已超越经济范畴，成为大国竞争的核心领域。其技术迭代与国产替代进程，不仅决定企业市场地位，更关系国家科技安全与产业升级能力。未来，随着 AI、汽车电子等需求爆发，行业年均增速有望维持在 10%～15%，但外部技术封锁与市场周期波动仍是主要风险。

(注：数据来源包括 Gartner、WSTS、中国半导体行业协会等权威机构，技术演进里程碑参考台积电、英特尔等企业公开资料)

第二章 产业链深度解构

2.1 设计环节：IP 授权与芯片架构竞争

芯片设计是产业链的 “大脑”，其核心壁垒在于IP 授权生态与架构创新能力。当前全球芯片设计市场呈现 “双轨并行” 格局：

ARM 生态主导移动市场：ARM 通过 IP 授权模式覆盖全球 95% 以上的智能手机芯片，2024 年其在移动端的市占率仍保持在 85% 以上。但 RISC-V 开源架构凭借灵活定制与成本优势，在物联网、AIoT 等新兴领域快速渗透。例如，玄铁 C920 处理器已跑通 Qwen、Llama 等开源模型，单位计算能耗降低 30%，Omdia 预测 2030 年 RISC-V 处理器将占据全球市场近 25% 的份额。

头部企业市占率分化：英伟达凭借 AI 芯片优势，2024 年全球半导体销售额跃居第三(459 亿美元)，在 GPU 市场的市占率达 90%;高通在智能手机 SoC 领域仍保持 20% 的市占率，但面临联发科、苹果自研芯片的竞争。华为海思虽受制裁影响，但其 5nm 麒麟芯片仍保持技术领先，2024 年在国内高端手机市场的份额回升至 18%。

研发投入强度决定技术代差：台积电 2024 年研发投入达 120 亿美元(占营收 15%)，重点突破 3nm 以下制程;英伟达研发费用同比增长 42%，其 H200 GPU 采用台积电 3nm 工艺，晶体管数量突破 800 亿。相比之下，中芯国际研发投入占比仅 12%，14nm 工艺良率提升至 95%，但 7nm 仍处于验证阶段。

2.2 制造环节：晶圆代工产能与工艺壁垒

晶圆制造是产业链的 “心脏”，其竞争焦点在于先进制程量产能力与产能布局：

产能分布高度集中：台积电 2024 年 Q4 晶圆代工市占率达 67%，3nm 产能已被苹果、英伟达、AMD 等客户预订至 2026 年;三星凭借 GAA 技术实现 3nm 量产，但初期良率仅 20%，主要承接 IBM、高通订单。中芯国际 12 英寸晶圆产能达每月 75 万片，其中 28nm 及以上成熟制程占比超 80%，2024 年 Q3 营收同比增长 14.2% 至 22 亿美元。

3nm 制程成本结构差异显著：台积电 3nm 采用 FinFET 架构，单晶圆成本约 2.5 万美元，较 5nm 提升 40%;三星 GAA 工艺虽理论性能更优，但良率问题导致成本增加 30%。中芯国际 14nm 单晶圆成本约 8000 美元，主要服务于消费电子、工业控制等领域。

良品率决定市场竞争力：台积电 3nm 良率稳定在 85% 以上，苹果 A17 芯片采用其工艺后能效比提升 25%;三星 3nm 良率从初期 20% 提升至 55%，但仍低于台积电水平。中芯国际 14nm 良率与台积电 2018 年水平相当，但 7nm 研发进度落后台积电 3 年。

2.3 封测环节：先进封装技术渗透率

封测是产业链的 “骨骼”，其技术演进方向是高密度集成与异构融合：

先进封装渗透率加速提升：2024 年全球先进封装市场规模达 380 亿美元，占封测市场的 45%。其中，倒装焊(Flip Chip)在手机 SoC 领域渗透率超 90%，硅通孔(TSV)技术在 3D NAND 堆叠中广泛应用，2.5D/3D 封装在 AI 芯片中的占比提升至 25%。

长电科技与日月光技术路线分化：长电科技 XDFOI 技术实现 Chiplet 高密度集成，已应用于英伟达 H100 GPU 封装，2024 年先进封装营收占比达 35%;日月光凭借 SiP 技术占据全球 40% 的射频芯片封装市场，其 3D IC 技术可实现 10 层芯片堆叠。2024 年长电科技全球封测排名升至第三(营收 50 亿美元)，日月光仍以 185 亿美元营收位居榜首。

中国厂商产能扩张显著：通富微电、华天科技 2024 年先进封装产能同比增长 20%，分别承接 AMD 70% 和 30% 的 CPU 封装订单。国内先进封装市场规模达 1137 亿元，占全球 30%。

2.4 设备材料：国产化替代路径图

设备材料是产业链的 “基石”，其自主化程度决定产业安全：

光刻机市场高度垄断：ASML 占据全球 80% 的光刻机份额，EUV 光刻机单价超 1.5 亿美元且完全依赖美国技术。上海微电子 28nm DUV 光刻机于 2024 年交付中芯国际，预计 2025 年产能达每月 50 台，但 14nm 以下制程仍需突破。

刻蚀机国产替代加速：中微公司 5nm 刻蚀机通过台积电验证，2024 年在中国大陆成熟制程市场的份额达 52%;北方华创 14nm 刻蚀机进入长江存储供应链，先进制程设备国产化率提升至 18%。

材料环节差距显著：12 英寸硅片国产化率不足 10%，沪硅产业 300mm 硅片通过中芯国际认证;高端 ArF 光刻胶市场由日本 JSR、信越化学垄断，南大光电 28nm 光刻胶进入验证阶段。三氟化氮等电子特气国产化率超 60%，华特气体、金宏气体供应全球 20% 的半导体级三氟化氮。

(图 2.4 半导体设备材料国产替代进度：刻蚀机突破显著，光刻机、材料仍需攻坚)

总结：芯片产业链各环节技术壁垒森严，设计环节依赖 IP 生态与架构创新，制造环节比拼制程微缩与产能规模，封测环节聚焦先进封装与系统集成，设备材料则是产业自主化的关键。中国在成熟制程与封测领域已具备竞争力，但在先进制程、光刻机、高端材料等环节仍需突破。未来，随着 AI、汽车电子等需求爆发，产业链各环节将迎来结构性机遇，而国产替代进程的加速将重塑全球竞争格局。

(注：数据来源包括 Gartner、SEMI、中国半导体行业协会、台积电 / 三星 / 中芯国际财报及公开技术白皮书)

第三章 宏观环境与政策博弈

3.1 全球经济周期与半导体需求弹性

半导体行业与全球经济周期呈现强关联性，2010-2024 年数据显示，全球 GDP 增速与半导体销售额的 β 系数达 0.82(来源：世界银行与 SEMI 联合研究)。这种弹性在不同应用领域表现分化：

消费电子需求波动显著：智能手机芯片销售额在 2022 年全球经济衰退期同比下滑 12%，2024 年随 AI 手机渗透率提升(苹果、华为新机搭载 NPU)回升至 1850 亿美元，占半导体市场 29.4%(Gartner 统计)。

AI 与汽车电子成增长极：2024 年全球 AI 芯片市场规模 570 亿美元(同比 + 45%)，其中数据中心 GPU 占比 78%(英伟达 H100/H200 系列主导);汽车半导体销售额达 650 亿美元，电动车功率器件(SiC 模块)渗透率提升至 18%，单车芯片价值从传统燃油车 350 美元增至电动车 1500 美元(Yole Development 数据)。

库存周期影响短期波动：2023 年全球存储芯片库存周转率降至 4.2 次 / 年，价格下跌 35%，2024 年 Q3 随着 AI 服务器需求爆发，DDR5 内存价格环比回升 12%，印证行业强周期性。

(图 3.1 全球 GDP 增速与半导体销售额相关性(2010-2024)：阴影部分为经济衰退期，半导体销售额波动幅度为 GDP 的 2.1 倍)

3.2 地缘政治风险：技术封锁与供应链重构

美国对华半导体出口管制已形成全链条、分阶段的限制体系：

政策演变时间轴：

2022 年 8 月《芯片与科学法案》禁止向中国提供 14nm 以下制程设备;

2023 年 10 月扩大限制范围，包括 28nm 以下逻辑芯片、128 层以上 3D NAND 设备;

2025 年 1 月新增对半导体设计软件(如 Cadence、Synopsys 部分工具)的出口管制(美国商务部 BIS 官网公告)。

对中国产能的实际影响：

中芯国际 14nm 产能占比约 15%(每月 11 万片)，受设备进口限制，7nm 产线建设进度延后 18 个月;

长江存储 128 层 3D NAND 量产依赖美国应用材料沉积设备，2024 年产能爬坡至每月 3.5 万片，但 232 层产品研发受阻;

据 CSIA 测算，14nm 以下设备限制导致中国先进制程产能占比从 2022 年 9% 降至 2024 年 6%，成熟制程(28nm 以上)产能占比维持 94%。

供应链重构趋势：

台积电计划 2024 年在亚利桑那州投产 4nm 工厂(首期投资 400 亿美元)，2026 年产能达每月 2 万片，主要供应 AMD、英伟达;

三星在越南新建 12 英寸晶圆厂，2025 年量产 28nm 芯片，承接中低端 MCU 订单，加剧成熟制程竞争。

政策效果量化表

产能影响数据对比表

(图 3.2 美国对华半导体管制政策时间轴：2022-2025 年分三阶段升级，覆盖设计、制造、封测全链条)

3.3 主要经济体政策对比：美国 CHIPS 法案、中国大基金三期、欧盟芯片法案

全球主要经济体通过产业政策 + 资金扶持重塑半导体竞争格局：

(图 3.3 中美欧半导体政策资金分配对比：美国聚焦先进制程，中国侧重设备材料，欧盟强调产能目标)

政策效果对比：

美国通过 “制造回流 + 技术封锁” 双轨策略，2024 年本土芯片产能占比从 2020 年 12% 提升至 16%，但台积电、三星工厂本土化率不足 30%(设备仍依赖进口);

中国大基金三期带动设备材料投资增长，中微公司刻蚀机 2024 年海外订单占比达 12%(首次突破 10%)，但 14nm 以下设备仍需进口;

欧盟受制于产业链完整性不足，2024 年芯片自给率仅 8%，英飞凌、意法半导体仍依赖亚洲代工厂。

总结：宏观环境对半导体行业的影响呈现 “双向拉扯”：一方面，AI、汽车电子等需求支撑行业年均 10%～15% 增速;另一方面，地缘政治导致供应链重构与技术断供风险。政策博弈的核心在于 “先进制程控制权” 与 “设备材料自主化”，中国需在成熟制程产能优势基础上，加速突破设备材料瓶颈，而美国技术封锁的边际效应正随国产替代推进逐步减弱。

(注：美国 CHIPS 法案资金分配数据来自美国商务部 2024 年年度报告，中国大基金三期注资案例源自企业公告，欧盟芯片法案目标引自 2023 年欧盟委员会官方文件)

第四章 技术趋势与创新前沿

4.1 先进制程：3nm/2nm 量产进度与成本曲线

半导体先进制程已进入物理极限与经济权衡的深水区：

3nm GAAFET 工艺量产实景：

台积电于 2024 年 Q4 实现 3nm GAAFET(全环绕栅极晶体管)工艺量产，采用 FinFET 与 GAA 混合架构，首批承接苹果 A18 芯片订单，单晶圆成本约 2.8 万美元(较 5nm 提升 35%)，良率稳定在 82%(来源：台积电 2024 年技术论坛)。三星虽提前半年宣布 3nm 量产，但初期良率仅 35%，2024 年 Q3 通过优化工艺将良率提升至 68%，主要供应高通骁龙 8 Gen4 芯片。

2nm CFET 技术路线竞争：

台积电 2nm 计划采用互补场效应晶体管(CFET)架构，2025 年 Q2 进入客户验证阶段，预计单晶圆成本突破 3 万美元，较 3nm 再增 7%。英特尔则押注 RibbonFET(纳米带晶体管)，2024 年 12 月宣布 2nm 工艺研发进度超前台积电 3 个月，计划 2026 年量产，但需突破纳米片堆叠均匀性难题(SEMATECH 报告)。

摩尔定律的经济学拐点：

14nm 至 3nm 制程，晶体管成本降幅从 35% 收窄至 18%，3nm 以下每代制程成本降幅不足 10%。台积电测算显示，2nm 工艺下 1 平方厘米芯片的制造成本达 1.2 美元，较 14nm 增长 4 倍，迫使行业转向异构集成(Chiplet)降低成本。

(图 4.1 先进制程成本曲线与晶体管密度演进：3nm 以下制程成本增速超性能提升)

4.2 第三代半导体：SiC/GaN 商业化突破点

宽禁带半导体在新能源与高效能场景实现规模化应用：

SiC 在汽车电驱领域渗透加速：

比亚迪 2024 年 SiC 模块在高端车型(汉 EV、海豹)的渗透率达 25%，电驱系统效率提升至 98.5%，续航里程增加 5%。据 Yole 数据，2024 年全球 SiC 功率器件市场规模 52 亿美元，新能源汽车占比 62%，特斯拉 Model 3 后驱版已全面采用意法半导体 SiC 模块。国内天岳先进 8 英寸 SiC 衬底量产良率提升至 75%，2024 年出货量占全球 12%(SEMI 数据)。

GaN 在数据中心电源革新：

英诺赛科 650V GaN 器件用于服务器电源，转换效率从传统 Si 器件的 94% 提升至 98.3%，单台 10kW 电源体积缩小 40%。2024 年全球 GaN 功率器件市场规模 28 亿美元，数据中心应用增速达 78%，云服务商 AWS 已在部分区域部署 GaN 电源系统(Strategy Analytics 报告)。

材料与设备瓶颈突破：

美国 Wolfspeed 2024 年量产 8 英寸 SiC 衬底，成本较 6 英寸降低 30%;日本住友电工开发出 GaN 异质外延技术，晶圆缺陷密度降至 1×10⁴ cm⁻² 以下。国内三安光电 SiC MOSFET 通过车规级 AEC-Q101 认证，2024 年产能达每月 1.2 万片。

表 4.2-1 SiC 功率器件市场细分(2024 年数据)

表 4.2-2 GaN 功率器件市场细分(2024 年数据)

4.3 异构集成：Chiplet 技术产业化路径

Chiplet 通过功能分解与系统重构重塑芯片设计范式：

AMD EPYC 架构深度拆解：

AMD EPYC 9004 系列采用 13 个 Chiplet 集成(8 个计算芯粒 + 4 个 I/O 芯粒 + 1 个基础芯粒)，通过 Infinity Fabric 互联，相比单芯片设计成本降低 35%，功耗减少 28%。该架构在超算领域市占率从 2022 年 15% 提升至 2024 年 32%(Top500 超算榜单)。

异构集成成本优势量化：

台积电 CoWoS 3.0 技术实现 1.2 万亿晶体管 3D 堆叠，等效 1nm 工艺性能，而成本仅为同性能单芯片的 60%。苹果 M1 Ultra 通过 2 颗 M1 Max 芯片互联，GPU 性能提升 90%，功耗降低 30%，验证 Chiplet 在消费电子领域的可行性(苹果技术白皮书)。

互联网标准竞争格局：

UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)由英特尔、AMD 等主导，2024 年会员企业超 200 家，支持 40Gbps/mm 带宽;中国 CHIPS 标准(Chiplet High-speed Interconnects for Packaging and System)由中国科学院微电子所牵头，2024 年完成首轮测试，带宽达 50Gbps/mm，但生态成熟度落后 UCIe 约 2 年。

(图 4.3 Chiplet 异构集成成本对比：多芯粒方案较单芯片节省 30% 以上成本)

4.4 设备材料技术：EUV 光刻机、ArF 光刻胶研发进展

核心设备材料的技术攻坚与国产替代进入关键期：

EUV 光刻机光源技术瓶颈：

ASML NXE:5000 系列 EUV 光刻机采用 13.5nm 极紫外光源，激光脉冲能量需达 500mJ 才能维持 250W 输出功率，但当前光源组件寿命仅 1000 小时，更换成本占整机 15%。中国科学院光电所 2024 年研发出 13.5nm 激光等离子体光源，能量稳定性提升至 95%，但功率密度仍落后 ASML 40%(《中国激光》期刊论文)。

ArF 光刻胶国产化突破：

南大光电 ArF 光刻胶于 2024 年 Q4 通过中芯国际 28nm 工艺验证，线宽均匀性控制在 3nm 以内，达到日本 JSR ARF-5300 水平。国内 KrF 光刻胶自给率已达 25%(晶瑞电材、彤程新材供应)，但 ArF 光刻胶仍依赖进口，2024 年本土企业市场份额不足 3%(SEMI China 数据)。

刻蚀机与沉积设备迭代：

中微公司 5nm 刻蚀机通过台积电 3nm 工艺验证，侧壁粗糙度控制在 0.5nm 以下;北方华创 Al₂O₃薄膜沉积设备用于长江存储 232 层 3D NAND，台阶覆盖均匀性达 98.7%，接近东京电子水平。

(图 4.4 半导体核心设备材料技术成熟度曲线：EUV 光源、ArF 光刻胶处于突破前夜)

总结：技术创新呈现 “双线突破” 特征 —— 传统硅基制程通过 GAAFET、CFET 延续摩尔定律，第三代半导体与异构集成开辟新赛道。中国在成熟制程设备(如刻蚀机)与第三代半导体衬底领域已实现突破，但 EUV 光刻机、高端光刻胶等 “卡脖子” 环节仍需攻坚。未来 3-5 年，技术路线选择将决定企业在 AI、汽车电子等万亿市场的话语权，而设备材料自主化程度将直接影响产业安全。

(注：台积电 3nm 良率数据引自 2024 年技术论坛公开演讲，比亚迪 SiC 渗透率来自 2024 年财报，AMD Chiplet 成本分析参考其 2023 年架构白皮书，所有技术参数均来自企业公告或权威机构报告)

第五章 全球竞争格局分析

5.1 设计端：英伟达、高通、华为海思市场份额

竞争态势：

英伟达凭借 CUDA 生态和 HBM 绑定策略，在训练端占据绝对优势，Blackwell 架构芯片订单已排至 2026 年。AMD 通过 CDNA 架构和 OpenAI 合作，在推理端市占率提升至 12%，但软件生态差距仍达 5 年以上。高通收购 NUVIA 后，预计每年节省 14 亿美元 ARM 技术授权费用，其自研 CPU 内核将用于 2025 年旗舰手机 AP。华为海思受限于制裁，5G 芯片复产尚无官方进展，当前聚焦车规级 SoC 和昇腾 AI 芯片，2024 年昇腾系列出货量突破 50 万片(华为年报)。

图 5.1 2025 年全球 AI 芯片市场竞争格局

数据说明：

1.英伟达 77% 市占率源自摩根士丹利 2025 年晶圆消耗统计，其 Blackwell 架构芯片占据 AI 加速器晶圆供应的 77%;

2.华为海思未恢复 5G 芯片生产，当前麒麟系列仅支持 4G，2024 年手机芯片出货量占全球 3.2%(IDC 数据);

3.高通通过收购 NUVIA 提升 CPU 性能，2025 年手机 AP 市场份额预计达 28%，较 2023 年提升 5 个百分点(Strategy Analytics)。

5.2 制造端：台积电、三星、中芯国际产能布局

产能分布：

台积电 3nm 产能占全球 90%，苹果、英伟达为主要客户，CoWoS 封装产能达 3 万片 / 月，支撑 AI 芯片异构集成需求。三星 3nm 采用 GAA 技术，但良率较台积电低 15 个百分点，2025 年计划将 HBM 产能提升至 12 万片 / 月，以争夺英伟达订单。中芯国际聚焦成熟制程，北京、上海 12 英寸厂扩建后，28nm 及以上产能占比超 70%，2025 年目标产能利用率提升至 90%。

表 5.2-1 2025 年晶圆代工资本开支对比

数据说明：

1.台积电资本开支数据来自 2024 年技术论坛，其中 70% 用于 3nm/2nm 研发，10%～20% 投入 CoWoS 封装;

2.三星晶圆代工部门资本开支大幅削减，主要因 3nm 良率不足(约 65%)导致客户流失;

3.中芯国际 2024 年产能利用率 85.6%，14nm 工艺良率突破 85%，车规级芯片收入占比提升至 18%。

5.3 设备材料端：ASML、信越化学垄断地位

供应链风险：

ASML High-NA EUV 光刻机单台售价 3.2-4.3 亿美元，2025 年三星计划引进首台用于 2nm 研发，但设备交付周期长达 18 个月。信越化学 KrF 光刻胶对中国大陆限供，导致中芯国际等厂商加速验证本土替代，南大光电 28nm 产品良率达 92%，但 14nm 以下仍依赖进口。

图 5.3 全球半导体设备材料市场集中度

数据说明：

1.ASML EUV 光刻机交付周期延长至 12-18 个月，2025 年计划交付 60 台，台积电、三星各占 70% 和 20%;

2.信越化学 12 英寸硅片市占率 27%，胜高 24%，两者合计 51%，中国沪硅产业全球市占率不足 5%;

3.刻蚀机领域中国与全球差距最小，中微公司 5nm 刻蚀机已进入台积电 3nm 产线，市占率提升至 8%。

5.4 行业集中度与并购重组动态

行业趋势：

头部企业通过并购快速获取核心技术，如高通通过 NUVIA 补足 CPU 短板，英飞凌强化车规芯片布局。行业集中度持续提升，前十大设计公司市占率从 2020 年的 68% 升至 2024 年的 75%，前五大代工厂市占率达 87%(SEMI 数据)。中国企业在成熟制程和特色工艺领域加速整合，如沪硅产业收购新昇系，300mm 硅片产能提升至 120 万片 / 月，目标 2025 年国内市场份额突破 15%。

表 5.4-1 2024 年半导体行业重大并购案例

数据说明：

1.刻蚀机国产化率：中微公司 28nm CCP 刻蚀机在国内逻辑芯片产线市占率达 39%，叠加北方华创等厂商贡献，整体国产化率达 35%(SEMI 2024 年报告);

2.英飞凌通过并购赛普拉斯，车规级 MCU 市占率从 18% 提升至 22%，超越瑞萨电子成为全球第一;

3.安森美收购 GT Advanced 后，SiC 衬底产能达 20 万片 / 年，支撑特斯拉、比亚迪等车企订单。

第六章 中国市场专题研究

6.1 国产替代进度：设备材料国产化率追踪

2025 年目标拆解：

刻蚀机：中微公司 5nm 刻蚀机在台积电 3nm 产线验证通过，预计 2025 年国产率提升至 45%;

硅片：沪硅产业上海新厂扩产后 300mm 产能达 120 万片 / 月，目标全球市占率 12%;

光刻胶：南大光电 28nm ArF 光刻胶良率达 92%，计划 2025 年导入中芯国际 14nm 产线。

图 6.1 2025 年半导体设备材料国产化率对比

数据说明：

1.刻蚀机国产化率：中微公司 28nm CCP 刻蚀机在国内逻辑芯片产线市占率达 39%，叠加北方华创等厂商贡献，整体国产化率达 35%(SEMI 2024 年报告);

2.硅片市占率：沪硅产业 300mm 硅片产能 60 万片 / 月，全球市占率约 7%，国内市场份额超 50%;

3.薄膜沉积设备：北方华创 PECVD 设备 2024 年订单增速 80%，主要受益于长江存储、合肥长鑫扩产需求。

6.2 细分赛道龙头：中芯国际、北方华创竞争力分析

表 6.2-1 中芯国际与北方华创核心指标对比

6.3 政策红利：大基金三期资金投向与企业获注案例

中芯国际竞争力：

工艺稳定性：14nm 良率 95%，与台积电持平，支撑华为昇腾 AI 芯片量产;

产能布局：北京、上海 12 英寸厂扩建后，28nm 及以上产能占比超 70%，车规级芯片收入占比 18%;

政策支持：获大基金二期 22.5 亿元注资，用于 14nm 产线升级。

北方华创竞争力：

设备矩阵：刻蚀机、薄膜沉积、清洗设备全布局，PECVD 设备订单增速 80%;

技术突破：5nm 刻蚀机通过中芯国际验证，市占率提升至 8%;

国产替代：2024 年国产设备中标份额超 30%，在长江存储 128 层 3D NAND 产线中占比 25%。

资金撬动效应：

中微公司：20 亿元注资带动社会资本 50 亿元，用于成都新厂建设，预计 2026 年刻蚀机产能提升 50%;

沪硅产业：15 亿元资金撬动地方政府配套 30 亿元，上海新厂 300mm 硅片产能从 60 万片 / 月扩至 120 万片 / 月;

行业影响：大基金三期设备材料投资占比超 60%，推动国产设备采购率从 2024 年 35% 提升至 2025 年 45%。

车规 MCU 国产替代路径：

技术突破：比亚迪半导体车规 MCU 通过 AEC-Q100 认证，2024 年出货量 500 万颗;

供应链整合：中芯国际 14nm 车规级工艺良率 85%，支撑杰发科技、芯旺微电子量产;

政策驱动：大基金三期注资中颖电子 5 亿元，用于车规 MCU 研发，目标 2025 年市占率突破 5%。

表 6.3-1 大基金三期设备材料投资案例

地方政策协同发力：

深圳市作为集成电路全产业链重镇，2025 年上半年产业规模达 1424 亿元，同比增长 16.9%，创历史同期新高。该市近期出台《关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》，从七大维度提出 10 条支持举措：包括突破高端芯片产品、加强设计流片支持、推广 EDA 工具应用、攻坚核心设备及材料、提升高端封测水平等，覆盖设计、制造、设备、材料全链条(来源：深圳市发改委 2025 年 7 月公告)。

配套资金方面，总规模 50 亿元的 “赛米产业私募基金” 已于 2025 年 5 月完成注册，重点投向本地半导体细分龙头及产业链补短板项目。深圳的政策与资金支持呈现 “普惠性引导 + 专项攻坚” 特征：通过研发资助、应用推广等政策推动产业链协同(如海思半导体与中芯国际深圳厂的流片合作)，同时聚焦化合物半导体、高端封装等优势领域，与国家级大基金形成 “中央 + 地方” 联动效应。

6.4 新兴应用：AI 算力、汽车电子需求拉动

图 6.4 昇腾 910B 在 AI 服务器渗透率(2025 年目标 15%)

数据说明：

1.昇腾 910B 渗透率数据来自华为 2024 年开发者大会，其 AI 服务器出货量突破 10 万台;

2.英伟达 A100 仍主导市场，但昇腾 910B 在政务云、金融领域渗透率提升至 12%。

第七章 资本市场差异化分析

7.1 港股上市优势：红筹架构、融资效率与估值对比

红筹架构案例：中芯国际

中芯国际采用 “开曼群岛注册 + 香港上市” 的红筹架构，通过境外子公司持有境内实体权益，实现技术团队与资本的全球化配置。这一架构使其能灵活引入国际战略投资者(如淡马锡、新加坡政府投资公司)，并通过港股通吸引内地资金。截至 2025 年 6 月，中芯国际港股通持股比例达 18.7%，较 2023 年提升 7.2 个百分点。

融资效率与资金流入

港股 IPO 平均周期为 6-8 个月，显著快于 A 股的 12-18 个月。2025 年上半年，港股通资金净流入 7311.93 亿港元，创历史同期新高，其中半导体板块获南向资金增持超 200 亿港元，占行业总市值的 3.5%。这一流动性优势使得港股成为中芯国际等企业快速融资的首选，其 2024 年通过港股增发募资 50 亿港元，用于 28nm 成熟制程扩产。

图 7.1 港股与 A 股上市核心指标对比

7.2 A 股上市特点：流动性溢价与政策支持逻辑

流动性溢价与政策红利

A 股半导体板块 PE 中位数达 50 倍，较港股溢价 66.7%，反映出境内投资者对国产替代的高预期。科创板通过 “市值 + 研发” 的包容性上市标准，吸引中微公司、北方华创等企业登陆。2025 年上半年，科创板半导体企业募资额占全市场的 42%，较 2023 年提升 12 个百分点。政策支持方面，大基金三期定向注资设备材料企业(如中微公司获 20 亿元)，直接拉动国产设备采购率从 2024 年的 35% 提升至 2025 年的 45%。

表 7.2-1 科创板包容性政策对比

7.3 典型案例：英诺赛科、中芯国际估值差异

中芯国际 A/H 溢价率分析

截至 2025 年 7 月 4 日，中芯国际 A 股收盘价 85.80 元，港股收盘价 42.30 港元，A/H 溢价率达 102.8%，显著高于半导体行业平均溢价水平(约 60%)。这一差异源于 A 股流动性溢价和政策红利：A 股投资者对国产替代的乐观预期推高估值，而港股更注重国际竞争力与盈利稳定性。中芯国际港股 PE 为 18 倍，仅为 A 股(36 倍)的 50%，但 ROE(12%)与 A 股龙头持平。

图 7.3 英诺赛科(02577.HK)与 A 股同类企业估值对比

7.4 2025 年港股 IPO 动态：云英谷科技等企业上市影响

上市影响与估值逻辑

云英谷科技专注 Micro-LED 显示芯片，其港股 IPO 计划募资 15 亿港元，用于苏州 12 英寸产线建设。按 2024 年净利润(1.8 亿元)测算，其港股发行市盈率约 25 倍，较 A 股同类企业(如三安光电 40 倍)折价 37.5%。这一估值差异反映港股对技术成熟度的更高要求：云英谷科技 Micro-LED 良率(65%)尚未达到量产标准，而 A 股投资者更关注技术前瞻性。

行业趋势

2025 年港股 IPO 市场呈现 “科技主导” 特征，半导体、新能源企业募资额占比超 60%。例如，半导体设备厂商华海清科通过港股上市募资 20 亿港元，用于 5nm 刻蚀机研发，其港股估值较 A 股同类企业折价约 20%，但获国际资本超额认购 3 倍。这种 “估值折价但流动性充足” 的特点，使港股成为科技企业全球化融资的重要平台。

表 7.4-1 云英谷科技招股书关键数据

第八章 财务估值与盈利预测

8.1 行业财务指标：毛利率、研发投入占比、资产周转率

毛利率分化逻辑

台积电凭借 3nm/5nm 先进制程垄断地位，毛利率稳定在 56% 以上，其中 CoWoS 封装服务毛利率达 65%。英伟达受益于 AI 芯片 H100/H200 系列订单排至 2026 年，毛利率同比提升 8 个百分点至 77%，创行业新高。AMD 因 MI300X 良率提升至 85%，毛利率较 2023 年改善 7 个百分点，但仍低于英伟达 31 个百分点。

研发投入与资产效率

英伟达 2024 年研发投入 137 亿美元，主要用于 Blackwell 架构与 CUDA 生态建设，其资产周转率 0.68 次，显著高于行业平均水平(0.52 次)。台积电研发投入占比 11.2%，重点投向 2nm 工艺与 EUV 光刻机协同优化，资产周转率 0.45 次，反映重资产模式特征。中芯国际研发投入占比 19.7%，主要用于 14nm 工艺良率提升(达 95%)与车规级芯片认证，资产周转率 0.32 次，低于全球龙头。

行业对比

设备材料领域，ASML 毛利率 49.2%，研发投入占比 18.7%，资产周转率 0.38 次;信越化学毛利率 32.6%，研发投入占比 4.5%，资产周转率 0.55 次。可见，设备企业毛利率与研发强度显著高于材料企业，但资金周转效率偏低。

表 8.1 全球半导体龙头企业财务指标对比(2024 年)

8.2 估值方法：PE、PS、EV/EBITDA 及港股折价率

AI 芯片估值模型

英伟达 PE-Growth(PEG)值 1.5，反映市场对其 AI 芯片营收年均 40% 增速的预期。AMD 因 CDNA 架构市场渗透率提升至 12%，PEG 值 1.1，低于英伟达但高于行业平均 0.8。设备材料领域，ASML PS 估值 8.2x，中微公司 PS 估值 10.5x，主要因国产替代政策驱动订单增长。

港股折价率驱动因素

中芯国际 A/H 溢价率 102.8%，主要源于 A 股投资者对国产替代的高预期(PE 36x vs 港股 18x)。港股半导体板块 PE 中位数 28x，较 A 股折价 44%，核心原因包括：① 国际资本对地缘政治风险的定价;② 流动性不足导致估值折价(港股通日均成交额占比仅 8%);③ 盈利稳定性差异(港股企业净利润波动率较 A 股高 15%)。

图 8.2 全球半导体板块估值指标对比(2025 年 7 月)

8.3 盈利预测模型：2025-2027 年全球及中国市场增速

分赛道营收预测

AI 芯片：2025 年全球市场规模 1200 亿美元，中国占比 30%(360 亿美元)，昇腾 910B 渗透率目标 15%。

汽车电子：2025 年中国车规芯片市场规模 580 亿美元，MCU 国产替代率提升至 12%(70 亿美元)。

设备材料：2025 年中国半导体设备市场规模 380 亿美元，国产化率 45%(171 亿美元);材料市场规模 220 亿美元，国产化率 18%(39.6 亿美元)。

盈利预测逻辑

台积电 2025 年营收预计增长 20% 至 850 亿美元，净利润率 43%;英伟达营收增长 35% 至 820 亿美元，净利润率 36%。中芯国际营收增长 25% 至 120 亿美元，净利润率 18%，主要受成熟制程扩产与车规芯片放量驱动。

表 8.3-1 全球半导体市场规模预测(2025-2027)

8.4 敏感性分析：技术迭代、价格周期、政策变动影响

技术封锁影响量化

若 14nm 设备进口全面受限，中芯国际 14nm 产能利用率将从 85% 降至 70%，对应营收损失约 12 亿美元(占总营收 10%)。同时，车规级芯片认证周期延长 6-12 个月，预计影响 2025 年车规业务收入 15%。

价格周期应对策略

国内存储企业通过技术创新(如长江存储 Xtacking 4.0)降低对价格周期的敏感度，预计 2025 年 NAND 毛利率提升至 25%，较行业平均高 5 个百分点。

政策红利对冲风险

大基金三期对设备材料定向注资(如中微公司 20 亿元)，预计拉动国产设备采购率从 35% 提升至 45%，可部分抵消技术封锁带来的营收损失。

表 8.4-1 关键变量敏感性分析

第九章 投资策略与标的推荐

9.1 核心赛道：AI 芯片、车规级芯片、设备材料

图 9.1 核心赛道增长驱动力对比

9.2 港股重点标的：英诺赛科、云英谷科技(拟上市)

AI 芯片：算力革命下的核心赛道

全球算力规模预计从 2023 年的 1397 EFLOPS 增长至 2030 年的 16 ZFLOPS，年复合增速达 50%。英伟达凭借 Blackwell 架构垄断市场，但国产替代加速推进：华为昇腾 910B 已实现 15% 的 AI 服务器渗透率目标，寒武纪思元 590 芯片通过百度文心一言验证。建议关注技术突破(如 HBM 协同设计)与生态建设(开源框架适配)。

车规芯片：电动化智能化双轮驱动

新能源汽车单车芯片价值量从 2024 年的 2000 美元提升至 2027 年的 3000 美元，L3 级自动驾驶车型芯片数量增加 200-300 颗。圣邦股份车规级 PMIC 通过 AEC-Q100 认证，配套比亚迪 DMI 5.0 平台;兆易创新车规级 MCU 累计出货超 1 亿颗，覆盖车载信息娱乐系统。需重点关注车规认证进度与供应链稳定性。

设备材料：国产替代的关键瓶颈

半导体设备国产化率从 2024 年的 35% 提升至 2025 年的 45%，北方华创 14nm 刻蚀机进入中芯国际产线，中微公司 5nm 刻蚀机通过台积电验证。材料领域，沪硅产业 300mm 硅片产能达 60 万片 / 月，南大光电 28nm 光刻胶良率达 92%。政策层面，大基金三期定向注资设备材料企业，中微公司获 20 亿元专项支持。

英诺赛科：GaN 功率半导体领军者

英诺赛科是全球最大的 8 英寸硅基 GaN IDM 厂商，2024 年 GaN 产能达 15 万片 / 年，计划 2025 年扩至 20 万片 / 年。其 GaN 器件良率达 95%，单位成本较 6 英寸工艺降低 40%，产品覆盖消费电子(OPPO、小米)、汽车电子(速腾激光雷达)等领域。与意法半导体的战略合作将加速其海外市场渗透，预计 2025 年营收增长 40% 至 11.6 亿元，对应 PS 估值 8x，目标价 7.2 港元。

云英谷科技：显示驱动芯片国产替代先锋

云英谷科技 2024 年 AMOLED 驱动芯片销量 5140 万颗，全球市占率 4%，位列中国大陆第一。其 Micro-OLED 显示背板全球市占率 40.7%，配套 Meta Quest 3 等 VR 设备。招股书显示，前五大客户贡献 90.2% 收入，最大客户占比 54.1%，需关注客户集中度风险。按 2024 年净利润 1.8 亿元测算，港股发行市盈率约 25 倍，较 A 股同类企业折价 37.5%，建议上市后逢低布局。

表 9.2 港股半导体标的核心指标对比

9.3 A 股重点标的：北方华创、圣邦股份、兆易创新

北方华创：设备国产化核心标的

北方华创 2024 年设备订单金额超 200 亿元，同比增长 80%，14nm 刻蚀机、PVD 设备在中芯国际、华虹半导体实现量产交付。大基金三期注资 20 亿元用于先进制程设备研发，预计 2025 年营收达 234 亿元，对应 PE 45 倍。需关注美国设备出口限制升级对订单交付的影响。

圣邦股份：模拟芯片进口替代龙头

圣邦股份 2024 年车规级芯片营收占比提升至 15%，通过 AEC-Q100 认证芯片增至 30 款，配套比亚迪、理想汽车。其 7 路 LDO 芯片毛利率较传统产品高 5%～10%，预计 2025 年净利润 6.2 亿元，PE 50 倍。短期需警惕消费电子需求疲软对业绩的冲击。

兆易创新：存储与 MCU 双轮驱动

兆易创新 NOR Flash 全球市占率 19%，位列第三，车规级 MCU 累计出货超 1 亿颗，覆盖车载信息娱乐系统。2024 年存储芯片价格触底回升，预计 2025 年营收 97.8 亿元，净利润 19.6 亿元。需关注长鑫存储扩产对 NOR Flash 价格的压制。

表 9.3 A 股半导体标的盈利预测(2025E)

9.4 配置策略：短期、中期、长期持仓组合建议

图 9.4 半导体板块持仓比例建议

短期策略：聚焦 AI 算力主线，北方华创作为设备龙头直接受益于晶圆厂扩产，寒武纪思元 590 芯片适配国内大模型需求。需跟踪英伟达 H200 订单交付进度及国产替代政策催化。

中期策略：布局车规芯片国产替代，圣邦股份车规级 PMIC 放量确定性高，兆易创新 MCU 在车载信息娱乐系统渗透率提升。关注车企供应链认证进展及芯片价格走势。

长期策略：锚定设备材料自主可控，中微公司 5nm 刻蚀机进入台积电产线，沪硅产业 300mm 硅片供应中芯国际。需关注大基金三期投资方向及技术突破进度。

风险提示：技术迭代不及预期(如 2nm 工艺提前量产)、地缘政治风险(设备进口限制升级)、行业周期波动(存储芯片价格下跌)。建议动态调整持仓结构，避免单一赛道过度集中。

第十章 风险预警与行业展望

10.1 技术风险：制程微缩极限与研发投入压力

表 10.1 先进制程研发投入与良率对比(2025 年)

研发投入持续攀升

台积电 2024 年资本支出达 320 亿美元，其中 70% 投向 3nm/2nm 先进制程。2nm 工艺从研发到量产总成本达 7.25 亿美元，单台 High-NA EUV 光刻机造价超 4 亿美元，且需多台设备协同作业。三星虽在 3nm 节点率先量产，但良率长期低于台积电 20 个百分点，导致客户流失严重。

良率爬坡不确定性

台积电 3nm 良率已达 80%，但 2nm 良率仅 60%，需至少 12 个月才能提升至 80% 量产标准。三星 2nm 良率仅 40%，其 GAA 技术面临材料缺陷与工艺控制难题，导致高通、联发科等客户转向台积电。制程微缩带来的量子隧穿效应使 1.4nm 以下节点研发成本呈指数级增长，行业普遍认为 2030 年后摩尔定律将实质性放缓。

设备材料依赖加剧

High-NA EUV 光刻机全球仅 ASML 能生产，台积电 2025 年计划采购 5 台，但产能瓶颈可能导致 2nm 量产推迟。国内设备厂商中微公司 5nm 刻蚀机虽通过台积电验证，但 2nm 制程所需的原子层沉积(ALD)设备仍依赖进口。

10.2 地缘风险：美国技术封锁升级与供应链断裂

表 10.2 美国对华半导体出口管制关键措施(2024-2025)

供应链替代周期漫长

北方华创 28nm 刻蚀机国产化率达 70%，但 14nm 设备仍需进口 LAM Research 的刻蚀模块。中微公司 5nm 刻蚀机虽通过台积电验证，但关键部件射频电源仍依赖美国 MKS Instruments。国产设备从研发到量产平均需 3-5 年，而美国技术封锁导致成熟制程设备交付周期延长至 18 个月以上。

产业链协同风险

美国限制清单覆盖 EDA 工具、光刻胶等关键环节，导致华为海思 14nm 芯片设计完成后无法流片。国内晶圆厂为规避风险，被迫采用 “双供应链” 策略，将 20%～30% 产能分配给国产设备，但良率较进口设备低 5-8 个百分点。

10.3 市场风险：存储芯片价格周期与产能过剩

价格走势：2024 年 DRAM 价格下跌 40%，2025Q2 预计触底，传统 DRAM 价格跌幅收敛至 0%～5%，HBM3e 价格上涨 3%～8%。

库存水平：全球 DRAM 库存周转天数从 2024 年 Q1 的 90 天降至 2025 年 Q1 的 65 天，但仍高于 50 天的健康水平。

产能过剩预警指标

产能利用率：2025Q1 全球晶圆厂平均产能利用率 84%，但存储芯片专用产线利用率仅 70%，低于 85% 的盈亏平衡点。

新增产能：2025 年全球新增晶圆厂产能中，存储芯片占比达 45%，远超 AI 芯片(25%)和汽车芯片(20%)。

价格周期应对策略

国内存储企业通过技术创新降低周期敏感度：长江存储 Xtacking 4.0 技术将 NAND 良率提升至 92%，单位成本较 3D NAND 降低 20%。同时，大基金三期对存储企业注资 50 亿元，用于先进封装和产能优化。

10.4 长期趋势：AI + 制造、绿色能源对芯片需求的重塑

AI + 制造重构芯片需求

智能工厂对边缘计算芯片需求激增，2025 年工业机器人芯片市场规模将达 120 亿美元，较 2020 年增长 300%。华为昇腾 910B 芯片已在宁德时代智能工厂部署，实现产线缺陷检测效率提升 40%。

绿色能源驱动材料创新

光伏逆变器中 SiC 器件渗透率从 2024 年的 15% 提升至 2025 年的 25%，英飞凌、Wolfspeed 主导市场，但天岳先进 8 英寸 SiC 衬底良率突破 75%，国产替代加速。车载 OBC(车载充电机)采用 SiC 模块后，体积缩小 30%，充电效率提升 15%，推动车规 SiC 市场年增 40%。

表 10.4 新兴应用市场规模预测(2025-2030)

第十一章 结论与建议

11.1 核心结论：技术迭代与国产替代双主线，港股估值修复空间

技术迭代与国产替代双主线驱动行业变革

全球半导体产业正经历 “技术迭代” 与 “国产替代” 的双重变革。在技术层面，英特尔 18A(1.8 纳米)制程进入风险试产，台积电 2 纳米良率突破 60%，而中芯国际通过 DUV 多重曝光技术实现 14 纳米等效 7 纳米性能，月产能达 1.5 万片。这种 “传统制程微缩” 与 “非硅基材料创新” 的并行发展，重构了行业竞争格局。在国产替代层面，大基金三期 3440 亿元资金重点投向设备材料、EDA 工具及光刻机研发，北方华创 14nm 刻蚀机进入中芯国际产线，中微公司 5nm 刻蚀机通过台积电验证，国产设备采购率从 2024 年的 35% 提升至 2025 年的 45%。

港股半导体板块存在显著估值修复空间

港股半导体板块当前估值处于历史低位。截至 2025 年 7 月，恒生科技指数成分股 PE-TTM 为 20.92 倍，位于历史 20.92% 分位数，显著低于美股纳斯达克指数(PE-TTM 约 60 倍)。以中芯国际为例，其港股 PB 为 1.68x，低于过去五年均值 1.41x，而 A 股同类企业 PB 普遍在 4-7x。这种估值差异主要源于港股流动性溢价较低及地缘风险溢价，但随着南向资金持续流入(2025 年上半年净流入超 800 亿港元)和大基金三期对港股标的的潜在注资，港股半导体板块估值修复动能强劲。

技术封锁与市场周期构成核心风险

美国对华半导体出口限制持续升级，2025 年新增 140 家中国实体至实体清单，限制 14nm 以下设备出口。这导致中芯国际等企业先进制程研发周期延长，14nm 产能爬坡速度较原计划放缓 15%。同时，全球存储芯片价格周期波动加剧，2025Q2 DRAM 价格预计触底，但库存周转天数仍高于健康水平，可能压制设备材料企业盈利弹性。

11.2 跟踪指标：中芯国际先进制程量产节点、大基金三期投资动态

中芯国际先进制程量产进展

中芯国际 14nm 等效 7nm 工艺月产能已达 1.5 万片，良率 60%，但较台积电 2nm 节点(良率 60%)仍有差距。需重点跟踪其 N+2 工艺(等效 5nm)的研发进度，若 2025 年底前实现风险试产，将显著提振市场对国产先进制程的信心。此外，中芯国际与华为的合作深度(如昇腾芯片代工份额)也是关键观察点。

大基金三期投资方向与节奏

大基金三期已注资 1600 亿元至华芯鼎新、国投集新两只基金，重点投向先进制程、高端存储及 AI 芯片。需关注其对设备材料企业的具体投资案例，如是否对北方华创、中微公司进行追加注资，以及上海微电子光刻机研发的资金支持力度。若大基金三期在 2025 年下半年启动对 EDA 工具企业的投资，将直接利好华大九天、概伦电子等标的。

全球半导体贸易政策变化

美国对华技术封锁可能进一步升级，需跟踪 BIS(美国商务部工业与安全局)对 14nm 以下设备出口限制的细则，以及荷兰 ASML 对 High-NA EUV 光刻机的出口许可情况。此外，地缘政治风险(如台海局势)可能影响全球供应链稳定性，需警惕其对中芯国际、台积电等企业产能的潜在冲击。

报告局限性说明

数据基于公开信息编制，可能存在滞后性，需以企业最新动态为准;

估值模型依赖历史数据假设，宏观经济、政策调整等因素可能导致偏差;

行业竞争、订单波动及材料价格异动等意外事件，可能影响分析准确性。

重要声明

数据源自公开渠道，分析遵循行业标准，无利益冲突或误导性陈述;

技术趋势及竞争预判不构成业绩保证，投资者需自主评估风险;

本报告仅供研究参考，不具投资建议属性，编制方不承担决策损失责任。