共建磷化铟技术创新平台丨武汉天源集团与北京化工大学联合研发中心正式揭牌

10月16日，武汉天源集团与北京化工大学签约成立磷化铟半导体联合研发中心，揭牌仪式在北京化工大学举行。北京化工大学副校长王峰，化学工程学院党委书记商云龙，化学工程学院教授高正明;武汉天源集团党委书记、总裁黄昭玮，集团副总裁、总工程师、半导体材料事业发展部部长李红，集团副总工程师、集团楚雄磷化铟基地负责人王筛林，天源集团中讯半导体公司总经理时振方等校企双方代表出席仪式。

双方将立足磷化铟半导体材料产业发展需求，整合高校科研优势与企业产业资源，聚力攻克关键技术难题，推动科研成果落地转化，助力我国化合物半导体材料产业高质量发展。

王峰副校长在仪式上致辞，并对武汉天源集团一行到访表示热烈欢迎。他表示，磷化铟是极具战略价值的化合物半导体材料，是新一代信息产业发展的重要基础。校企双方具备天然互补优势，高校聚焦0-1原始创新，着力前沿技术突破;企业专注1-10产业化落地，主攻工艺放大与成果转化应用。北京化工大学在高分子(聚合物)材料领域处于国内领先水平，尤其在高纯化学品、化工合成、化工智能化领域积淀深厚，通过本次共建，将不断向企业输送技术与人才。同时指出，武汉天源集团产业根基扎实、科研成果转化能力突出，具备成熟的产业化落地与资源整合优势。期待双方依托研发中心实现资源共享、优势互补，协同推进磷化铟技术应用与人才共育。

黄昭玮总裁代表武汉天源集团对本次合作寄予厚望。他指出，磷化铟是高速光通信、人工智能、高端芯片制造等领域的核心战略基材，属于国家重点半导体材料产业，行业国产替代、技术自主可控势在必行。同时指出，本次校企共建联合研发中心，既是集团布局战略性新兴产业的务实举措，也是集团磷化铟业务技术与人才的输入渠道。北京化工大学作为国内化工新材料领域顶尖高校，学科底蕴深厚、科研优势突出。武汉天源始终紧跟国家战略导向，坚持环保、绿色能源、新材料多元化发展与升级转型。后续将进一步做实新行业、新技术的开发。重点是对磷化铟技术工艺的升级与迭代。未来，集团将加大该领域的科技研发投入力度。

此次共建，是创新链与产业链的深度融合、优势互补。双方将打通从基础研究、技术攻关到产业化应用的创新链条，聚焦开展6英寸磷化铟单晶衬底产业化关键技术研发，同时启动8英寸磷化铟单晶衬底生长基础研究。同步搭建人才共育体系，持续推动磷化铟半导体材料国产化、高端化技术升级，打造校企协同创新、深度融合的示范标杆。