中国上市公司网讯 5月27日,长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫科技”或公司)首发申请上会。
据悉,长鑫科技本次公开发行股票不超过1,062,225.9999万股,占发行后总股本的比例不低于10%,拟于上交所科创板上市,保荐机构为中金公司和中信建投证券。公司本次拟使用募集资金295.00亿元,主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM储存器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
公开资料显示,长鑫科技长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来,公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略,完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产,以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级,目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据Omdia的数据,按出货量和销售额统计,公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
DRAM是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石,广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。公司于2019年9月推出自主设计生产的8GbDDR4产品,实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。同时,公司积极把握行业发展趋势,持续进行产品迭代,现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局,并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案,可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。
我国是全球最大的DRAM需求市场之一,而全球前三家DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。公司致力于持续扩充产能,不断提升全球市场份额,并为我国DRAM市场提供稳定的供应。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,产能规模位居中国第一、全球第四。


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