首页 要闻 思锐智能IPO被受理 拟于上交所科创板上市

思锐智能IPO被受理 拟于上交所科创板上市

中国上市公司网讯 11月10日,上交所官网披露了青岛思锐智能科技股份有限公司(以下简称“思锐智能”或公司)首次公开发行股票招股说明书(申报稿),公司IPO材料被正式受理。 据悉,思…

中国上市公司网讯 11月10日,上交所官网披露了青岛思锐智能科技股份有限公司(以下简称“思锐智能”或公司)首次公开发行股票招股说明书(申报稿),公司IPO材料被正式受理。

据悉,思锐智能本次拟公开发行新股不低于23,876.2572万股且不超过45,099.5969万股,占发行后总股本比例不低于15%且不超过25%。拟于上交所科创板上市,保荐机构为中信证券和国泰海通证券。

公开资料显示,思锐智能是一家总部位于中国,以中国和芬兰两地作为研发制造中心,服务全球客户的半导体设备公司。公司主要从事应用于集成电路、功率器件、科研及显示器件等领域的原子层沉积设备和离子注入设备的研发、生产和销售,并提供备品备件和相关技术服务。

经过多年的自主研发和技术积累,公司掌握了原子层沉积设备和离子注入设备的关键核心技术。公司是国内极少数在原子层沉积设备领域实现全球化布局并具有全球知名度的设备制造商,也是国内极少数实现离子注入设备研发制造及产业化应用的设备制造商。公司原子层沉积设备广泛应用于化合物半导体、显示器件、科研等领域,并逐步向硅基半导体领域拓展,2025年公司原子层沉积设备在化合物半导体领域的市场占有率排名全球第三、国产厂商第一,在显示器件领域和科研领域的市场占有率均排名全球第一。公司是国内极少数为集成电路先进制程制造产线提供离子注入设备的半导体设备制造商,公司离子注入设备首先聚焦技术难度最高的高能离子注入设备并取得突破,目前离子注入设备覆盖高能、大束流、中束流三个主流技术路线,并持续布局氢离子注入和SiC离子注入产品。公司已形成较为完善的自主知识产权体系,截至2026年6月30日,公司已获授权专利392项,包含111项境内专利和281项境外专利,其中发明专利355项。

风险提示:股市有风险,投资需谨慎,以上内容仅供投资者参考,不作为投资决策的依据。转载请注明出处: http://www.ipo123.com.cn/archives/93679
上一篇
下一篇
Avatar photo

作者: ID010

为您推荐

发表回复

联系我们

联系我们

010-63458922

在线咨询: QQ交谈

邮箱: zgssgsw@ipo123.cn

工作时间:周一至周五,9:00-17:30,节假日休息

关注微信
微信扫一扫关注我们

微信扫一扫关注我们

关注微博
返回顶部