长鑫科技IPO注册获同意 将于上交所科创板上市

中国上市公司网讯 6月12日，证监会官网披露了长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫科技”或公司)首次公开发行股票注册的批复，公司IPO注册获同意。公司本次发行的股票数量不超过1,062,225.9999万股，将于上交所科创板上市。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。根据Omdia的数据，按出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

DRAM是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石，广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。公司于2019年9月推出自主设计生产的8GbDDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。同时，公司积极把握行业发展趋势，持续进行产品迭代，现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。

我国是全球最大的DRAM需求市场之一，而全球前三家DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。公司致力于持续扩充产能，不断提升全球市场份额，并为我国DRAM市场提供稳定的供应。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。

长鑫科技本次拟使用募集资金295.00亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM储存器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

长鑫科技表示，公司秉持“以存储科技赋能信息社会、改善人类生活”的使命，在业务布局上坚持立足国内市场，并逐步拓展海外市场;在市场布局上加速扩大在中高端应用市场的占有率;在发展模式上持续向产业生态协同发展;在技术研发上持续深化工艺技术开发与积累，不断开拓前沿技术，加速实现中国先进DRAM芯片产业持续性的技术突破。公司致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储企业，并一直为之不懈努力和奋斗。