西安紫光国芯半导体IPO

简介 公司是一家专注于 DRAM 存储芯片设计及相关产品研发、销售与服务的高新技术企业,采用 Fabless 经营模式,核心业务覆盖晶圆产品、芯片产品、系统产品,以及集成电路设计服务。公司产品主要面向消费电子、网络通信、工业控制、物联网、车载电子等领域,打造多场景存储解决方案。
主营业务 以 DRAM 存储技术为核心的晶圆、芯片和系统产品的研发、销售,以及集成电路设计服务。

IPO信息

股票代码 874451 受理日期 2026-06-30
股票简称 紫光国芯 上会通过日期
上市板块 北交所 提交注册日期
发行价格(元/股) 同意注册日期
发行市盈率 刊登发行公告日期
网上发行股数(万股) 网上路演日期
战略配售发行数量(万股) 网上发行日期
总发行数量(万股) 中签号公布日期
网上发行中签率(%) 上市日期
募集资金总额(亿元)

基本资料及发行相关资料

公司名称 西安紫光国芯半导体股份有限公司 英文名称 Xi’an UniIC Semiconductors Co., Ltd.
成立日期 2006 年 4 月 24 日 注册资本(人民币元) 136,320,710.00
行业分类 I65 软件和信息技术服务业 雇员总数(人) 579(截至2025年12月31日)
法人代表 范新 董事长 范新
总经理 江喜平 董事会秘书 吴晓冬
注册地址 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路 38 号 A座 4 楼 办公地址 陕西省西安市高新区丈八街办高新六路 38 号 A座 4 楼
电话 029-88318000 传真 029-88453299
公司网址 https://www.unisemicon.com 电子邮件 xiaodong.wu@unisemicon.com
保荐人(主承销商) 中信建投证券股份有限公司 保荐代表人 胡占、张林
会计师事务所 信永中和会计师事务所(特殊普通合伙) 经办会计师 李亚望、马如飞、赵亮亮
律师事务所 北京市嘉源律师事务所 经办律师 黄国宝、郭光文、郭蔚
资产评估机构 北京卓信大华资产评估有限公司 经办评估人员 冯育、撖大刚

募集资金用途

项目 投资总额(万元)
新一代标准存储器研发及产业化项目 51,766.40
新一代定制存储器研发及产业化项目 21,986.44
新一代存储模组研发及产业化项目 17,111.90
补充流动资金 26,000.00
投资金额总计 116,864.74

前十大股东(发行前)

股东名称 持股数量(万股) 占总股本比例(%)
紫光存储 6,225.60 45.67
紫光国微 924.00 6.78
中关村三期 681.60 5.00
倍特启新 681.60 5.00
裕朗创投 681.60 5.00
迪润西 422.55 3.10
迪润东 396.90 2.91
迪润成 356.88 2.62
申祺利纳 307.83 2.26
唐兴投资 286.89 2.10
合计 10,965.45 80.44

行业内的主要企业

主要企业 主营业务及主要产品
三星电子(005930.KS) 三星电子成立于 1969 年,总部位于韩国,于 1975 年在韩国证券交易所上市,是一家国际领先的电子产品的生产和销售企业。三星电子下设设备体验(DX)部门、设备解决方案(DS)部门、三星显示(SDC)等,其中 DS 部门主要提供半导体相关的产品或服务,主要包含 DRAM、NAND、移动应用处理器等半导体产品与晶圆代工服务等。
SK 海力士(000660.KS) SK 海力士成立于 1983 年,总部位于韩国,前身为现代电子产业,2012 年加入 SK 集团后更名,是全球领先的存储芯片制造商,核心产品覆盖 DRAM、NAND Flash、CIS 图像传感器等,为全球 AI 算力与服务器基础设施的关键供应商。公司以 DRAM 为核心业务,在通用 DRAM、服务器 DDR5 及 AI 高带宽内存 HBM 领域具备领先技术与规模优势,全球 DRAM 市占率长期位居前列,与三星、美光共同主导全球存储寡头格局。
美光科技(MU.O) 美光科技成立于 1978 年,总部位于美国,是全球领先的存储芯片 IDM 厂商,DRAM 为其核心业务,产品覆盖 DDR5、LPDDR5、服务器 DRAM 及 HBM高带宽内存,DRAM 产品占有率稳居全球前三。
长鑫科技 长鑫科技成立于 2016 年,总部位于安徽合肥,是中国大陆规模最大、技术最先进、唯一实现 DRAM 全流程规模化量产的 IDM 存储芯片企业,专注于动态随机存取存储器(DRAM)的研发、设计、制造与销售,产品覆盖 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 等主流规格,提供 DRAM 晶圆、芯片及模组一体化解决方案,广泛应用于服务器、移动终端、PC 与智能汽车等领域。
华邦电子(2344.TW) 华邦电子股份有限公司成立于 1987 年 9 月,总部位于中国台湾中部科学园区,1995 年在台湾证券交易所上市(股票代码:2344.TW),采用 IDM 模式运营,主营利基型 DRAM、NORFlash 等存储芯片及逻辑 IC 产品,广泛应用于汽车、工业、网通与消费电子领域。
南亚科技(2408.TW) 南亚科技股份有限公司成立于 1995 年 3 月,为台塑集团旗下企业,总部位于中国台湾新北市泰山区南林科技园区,2000 年在台湾证券交易所上市(股票代码:2408.TW),专注于 DRAM(动态随机存取内存)的研发、设计、制造与销售,广泛应用于电脑、服务器、移动终端及消费电子等领域。
北京君正(300223.SZ) 北京君正成立于 2005 年,北京君正作为采用 Fabless 模式的集成电路设计企业,以“计算+存储+模拟”为核心产品战略,核心产品线涵盖计算芯片、存储芯片、模拟与互联芯片三大类。其中,存储芯片主打 SRAM、DRAM、Flash等品类且车规级产品全球市占率领先。该公司重点深耕车规级与 AIoT 高景气赛道,覆盖智能安防、智能穿戴、智能家居、工业自动化等多个细分场景。
兆易创新(603986.SH) 兆易创新正成立于 2005 年。主要产品涵盖存储器、微控制器、传感器、模拟四大类,各品类布局完善且针对性适配多领域应用需求。其中,存储器产品包含 NOR Flash、NAND Flash(主打高可靠性的 SLC 型,实现多领域全品类覆盖)、利基型 DRAM(低功耗、小体积,含 DDR3L/DDR4/LPDDR4 等型号),广泛应用于工业、汽车、消费电子、网络通信、物联网等场景。
东芯股份(688110.SH) 东芯半导体股份有限公司成立于 2014 年,主营业务聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM 芯片的设计、生产和销售,可以同 时提供NAND/NOR/DRAM 设计工艺和产品方案。
晶豪科技(3006.TW) 晶豪科技股份有限公司成立于 1998 年,产品包括特定型 DRAM 产品线(包括 SDRAM、DRAM 以及 PSRAM、低耗电的 Mobile DRAM 等),NORFlash 以及 NAND Flash,以及 KGD 产品和 MCP 的解决方案。
钰创科技(5351.TW) 钰创科技成立于 1991 年。主要产品为利基型存储器产品,主营业务包括DDR DRAM、SDR DRAM、Low Power SDRAM 与系统芯片,以及 KGD 及消费型记忆体(CEDRAM:Consumer Electronics DRAM),产品运用在电脑,消费类,通信及汽车领域。

客户和供应商

前五大客户(2025年) 前五大供应商(2025年)
深圳中电港技术股份有限公司及其子公司 力晶集团下属企业
新紫光集团有限公司下属企业 威刚科技及下属企业
北京勇旗科技发展有限公司及其关联方 深圳市芯华微科技有限公司
东莞市乔恒电子科技有限公司 电子信息集团下属企业
北京神州数码有限公司及其关联方 德明利及下属企业

主要财务指标

财务指标/时间 2025年12月 2024年12月 2023年12月
总资产(元) 2,301,913,175.55 1,212,960,498.75 960,533,414.52
净资产(元) 1,219,674,703.17 537,526,573.14 568,072,433.86
少数股东权益(元)
营业收入(元) 1,830,296,529.14 1,182,460,602.99 911,923,853.32
净利润(元) 111,952,587.77 -28,742,292.31 -201,797,920.46
资本公积(元) 1,262,415,713.08 731,140,781.14 731,991,974.01
未分配利润(元) -185,070,392.79 -297,022,980.56 -268,280,688.25
基本每股收益(元) 0.9417 -0.2708 -1.9013
稀释每股收益(元) 0.9417 -0.2708 -1.9013
每股现金流(元) -0.11 -0.54 -1.41
净资产收益率(%) 13.81 -5.18 -30.12

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紫光国芯上市申请被受理 拟于北交所上市
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